ddr 存储器电源 ic | ti.com.cn-和记娱乐手机app

高密度、高效、具有成本效益

我们拥有广泛多样的 ddr 端接器产品系列,可满足您的系统要求,同时还提供基于线性和开关稳压器的和记娱乐手机app的解决方案供您选择。ddr vddq 和 vtt 器件具有较低的内部基准,以调节低 ddr 内核和终端输出电压。与标准线性和开关稳压器相比,ddr 端接器可以灌入或拉取终端电流,并且具有外部基准输入,可跟踪 vddq/2 输入并生成 vtt 终端电压轨。

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新产品

耐辐射、qmlp、2.3v 至 3.5v 输入、3a 灌电流和拉电流 ddr 端接 ldo 稳压器

技术资源

应用手册
ddr vtt power solutions: a competitive analysis (rev. a)
了解 ddr 应用中的终端电压 (vtt)。该应用手册比较了无源和有源 vtt 终端的功率损耗和电压偏差。
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技术文章
improving ddr memory performance in automotive applications
阅读更多有关双倍数据速率 (ddr) 存储器如何在许多电子系统中实现高速和高性能(由于此类存储器能够在时钟的上升沿和下降沿进行读写)的信息。
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技术文章
four design tips to obtain 2mhz switching frequency
在这篇技术文章中,我们以我们的新型 tps54116-q1 ddr 存储器电源和记娱乐手机app的解决方案为例,提供了在尝试以 2mhz 频率运行时的主要注意事项。
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设计和开发资源

评估板

tps51200evm 评估板 hpa322a 旨在评估 ti 的低成本 ddr/ddr2/ddr3/lp ddr3 vtt 终端稳压器 tps51200 的性能特性。tps51200 旨在为 ddr 存储器提供适当的终止电压和 10ma 缓冲基准电压,该存储器涵盖 ddr (2.5v/1.25v)、ddr2 (1.8v/0.9v)、ddr3 (1.5v/0.75v)、lp ddr3 (1.2v/0.6v) 规格,并具有超少的外部元件。

评估板

tps51206evm-745 评估模块(evm)采用了 tps51206 器件。tps51206 是一款具有 vttref 缓冲参考输出的灌电流/拉电流双倍数据速率 (ddr) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部元件数的空间受限型系统而设计。tps51206evm-745 旨在为 ddr 存储器提供适当的终止电压和 10ma 缓冲基准电压,该存储器涵盖 ddr2 (0.9vtt)、ddr3 (0.75vtt)、ddr3l (0.675vtt) 和 ddr4 (0.6vtt) 规格,并具有超少的外部元件。

评估板

此评估模块旨在演示使用 tps54116-q1 稳压器进行设计时,可减小印刷电路板面积。外部分压器能实现可调节的输出电压。tps54116-q1 直流/直流转换器是一款同步降压转换器,旨在为 ddr 存储器终端提供高达 4a 的输出和集成的 1a 拉电流/灌电流 ldo。

与ddr 存储器电源 ic相关的参考设计

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